揚(yáng)州安規(guī)電容價(jià)格
發(fā)布時(shí)間：2024-01-13 01:27:22
揚(yáng)州安規(guī)電容價(jià)格
根據(jù)實(shí)際需要,X電容的容值允許比Y電容的容值大,但此時(shí)必須在X電容的兩端并聯(lián)一個(gè)安全電阻,用于防止電源線拔插時(shí),由于該電容的充放電過(guò)程而致電源線插頭長(zhǎng)時(shí)間帶電。安全標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,當(dāng)正在工作之中的機(jī)器電源線被拔掉時(shí),在兩秒鐘內(nèi),電源線插頭兩端帶電的電壓(或?qū)Φ仉娢?必須小于原來(lái)額定工作電壓的30%。作為安全電容之一的X電容,也要求必須取得安全檢測(cè)機(jī)構(gòu)的認(rèn)證。X電容一般都標(biāo)有安全認(rèn)證標(biāo)志和耐壓AC250V或AC275V字樣,但其真正的直流耐壓高達(dá)2000V以上,使用的時(shí)候不要隨意使用標(biāo)稱耐壓AC250V或者DC400V之類的的普通電容來(lái)代用。通常,X電容多選用紋波電流比較大的聚脂薄膜類電容。這種類型的電容,體積較大,但其允許瞬間充放電的電流也很大,而其內(nèi)阻相應(yīng)較小。
揚(yáng)州安規(guī)電容價(jià)格
安規(guī)電容分為x 型和y 型。交流電源輸入分為3 個(gè)端子：前方L/零線N/地線G，(L=Line,N=Neutral, G=Ground)?？缬凇癓-N”之間，即“前方-零線”之間的是X 電容；跨于“L-G/N-G”之間，即“前方-地線 或 零線-地線”之間的是Y 電容。前方與零線之間接個(gè)電容就像是“X”,而前方與地線之間接個(gè)電容像個(gè)“Y”，這些都不是按什么原料來(lái)分的。X電容：由于這個(gè)電容銜接的方位也比較要害,相同需求符合相關(guān)安全標(biāo)準(zhǔn)。X電容相同也屬于安全電容之一。根據(jù)實(shí)踐需求,X電容的容值容許比Y電容的容值大,但此時(shí)有必要在X電容的兩端并聯(lián)一個(gè)安全電阻,用于避免電源線拔插時(shí),由于該電容的充放電進(jìn)程而致電源線插頭長(zhǎng)期帶電。安全標(biāo)準(zhǔn)規(guī)矩,當(dāng)正在作業(yè)之中的機(jī)器電源線被拔掉時(shí),在兩秒鐘內(nèi),電源線插頭兩端帶電的電壓(或?qū)Φ仉娢?有必要小于本來(lái)額外作業(yè)電壓的30%。
揚(yáng)州安規(guī)電容價(jià)格
防止諧波,在電網(wǎng)中有許多諧波源存在，如果在設(shè)置并聯(lián)電容器的網(wǎng)點(diǎn)處諧波過(guò)大，若直接投入并聯(lián)電容器，往往會(huì)使電網(wǎng)中的諧波更大，對(duì)并聯(lián)電容器的使用造成非常大的威脅。采取裝設(shè)串聯(lián)電抗器的方法，能夠有效地避免諧波分量及涌流的發(fā)生，對(duì)保證并聯(lián)電容器的運(yùn)行具有明顯的效果。有條件的地方應(yīng)事先對(duì)并聯(lián)電容器安裝處的諧波分量進(jìn)行測(cè)試，并根據(jù)測(cè)試結(jié)果確定所需安裝的串聯(lián)電抗器容量。串聯(lián)電抗器的設(shè)置容量，也可根據(jù)所裝設(shè)的并聯(lián)電容器容量直接確定。一般情況是對(duì)5次以上的諧波按并聯(lián)電容器容量的百分之6選取，而對(duì)3次以上的諧波則應(yīng)按并聯(lián)電容器容量的百分之12選取。另外，對(duì)僅考慮避免5次以上諧波放大問(wèn)題的場(chǎng)所（即電抗器容量為電容器容量的百分之6），還應(yīng)注意防止對(duì)3次諧波的放大問(wèn)題，以保證并聯(lián)電容器的運(yùn)行。
揚(yáng)州安規(guī)電容價(jià)格
隨著汽車電氣化的加劇，汽車電路系統(tǒng)的電壓和輸出功率有了大幅度的提升，關(guān)鍵部件對(duì)電子元器件的耐壓耐沖擊能力要求更為嚴(yán)格。工作條件的變化對(duì)電子系統(tǒng)中的電容元器件的性能提出新的要求，從而拉動(dòng)了汽車產(chǎn)業(yè)對(duì)薄膜電容器的需求。例如，豐田普銳斯第二代產(chǎn)品就將原有的鋁電解電容器替換成為薄膜電容器。一方面是因?yàn)楸∧る娙莸哪蛪耗蜎_擊特性使它非常適合在新能源汽車的電氣環(huán)境下使用。另一方面，在過(guò)去多年的發(fā)展中，薄膜電容器的體系和重量減少了3~4倍，同時(shí)改進(jìn)了金屬化的分割技術(shù)，從而極大的幫助了薄膜電容的發(fā)展。目前，薄膜電容能夠比電解電容更加經(jīng)濟(jì)性的覆蓋600VDC~1200VDC之間的電壓范圍。